FMUSER 1 kos originalni novi MRF317 RF TRANZISTOR, ŠIROKOPASOVNI RF MOČNI TRANZISTOR-RF tranzistor-FMUSER FM / TV oddajanje na enem mestu Dobavitelj

FMUSER 1 kos Originalni MRF317 RF TRANSISTOR, ŠIROKOPASOVNI RF MOČNI TRANZISTOR Opis: Zasnovan predvsem za širokopasovne velike signalne stopnje ojačevalnika v frekvenčnem območju 30 MHz. Zagotovljena zmogljivost pri 200 MHz, izhodna moč 150 Vdc 28 W Najmanjši ojačevalnik = 100 dB Vgrajeno ujemajoče se omrežje za širokopasovno delovanje 9.0% preizkušeno za neujemanje obremenitve pri vseh faznih kotih s 100: 30 VSWR Gold metalizacijskim sistemom za visoko zanesljivost Moč nasičenja z visoko izhodno močjo, idealno primerna za Carrier / 1 W Peak AM ojačevalnik Zajamčena zmogljivost v širokopasovni preskusni napravi MAKSIMALNE OCENE Ocena CollectorEmitter Voltage CollectorBase Voltage EmitterBase Voltage Collector Current Continuous Collector Current Peak (120 sekund

podrobnost

Prejšnja:FMUSER 1 kos originalni nov MRF6VP3450H bočni N-kanalni širokopasovni RF močnostni MOSFET tranzistor

Naprej:FMUSER 1 kos originalni novi RF-TRANSISTOR RD70HVF1

Cena (USD)	Kol (PCS)	Shipping (USD)	Skupaj (USD)	Način pošiljanja	plačilo
59	1	0	59	airmail ladijski promet
				airmail ladijski promet

FMUSER 1 kos Originalni MRF317 RF TRANSISTOR, ŠIROKOPASOVNI RF MOČNI TRANZISTOR

Opis:
Zasnovan predvsem za širokopasovne velike signalne stopnje ojačevalnika v frekvenčnem območju 30 MHz. Zagotovljena zmogljivost pri 200 MHz, izhodna moč 150 Vdc 28 W Najmanjši ojačevalnik = 100 dB Vgrajeno ujemajoče se omrežje za širokopasovno delovanje 9.0% preizkušeno za neujemanje obremenitve pri vseh faznih kotih s 100: 30 VSWR Gold metalizacijskim sistemom za visoko zanesljivost Moč nasičenja z visoko izhodno močjo, idealno primerna za Carrier / 1 W Peak AM ojačevalnik Zajamčena zmogljivost v širokopasovnem preskusnem pripomočku
Rating CollectorEmitter Voltage CollectorBase Voltage EmitterBase Voltage Collector Current Continuous Collector Current Peak (10 sekund) Skupna disipacija naprave 25 ° C (1) Derate over 25 ° C Symbol VCEO VCBO VEBO IC PD Tstg Value to +150 Unit Vdc Adc Watts W / ° C ° C
Značilna toplotna odpornost, stik s simbolom ohišja RJC Največ 0.65 enota ° C / W

Specifikacije:
●Atribut izdelka Vrednost atributa Iskanje podobno
●Proizvajalec: FMUSER
●Kategorija izdelka: RF bipolarni tranzistorji
● Znamka: FMUSER
●Vrsta izdelka: RF bipolarni tranzistorji

●Podkategorija: Tranzistorji

Lastnosti:
●ELEKTRIČNE ZNAČILNOSTI: (TC = 25 ° C, če ni navedeno drugače.)
●Povečanje moči ojačevalnika CommonEmitter: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (največ) = 6.5 Adc)
●Učinkovitost kolektorja: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (Max) = 6.5 Adc) Neujemanje obremenitve (VCC = 28 Vdc, Pout 100 W CW, = 150 MHz, VSWR = 30: 1 vsi fazni koti)
●GPE Brez poslabšanja izhodne moči dB%