FMUSER Izvirnik novega MRF6V2150NB SMD RF močnostna tranzistorska cev Visokofrekvenčna cevna ojačevalna enota Moč MOSFET tranzistor-RF tranzistor-FMUSER FM / TV oddajanje na enem mestu Dobavitelj

Izvirni novi MRF6V2150NB SMD RF močnostni tranzistorski cevni visokofrekvenčni ojačevalni modul Moč MOSFET tranzistor FMUSER originalni nov MRF6V2150NB RF močni tranzistorski močni MOSFET tranzistor, zasnovan predvsem za širokopasovne širokopasovne izhodne signale in gonilnike s frekvencami do 450 MHz. Naprave nimajo enakovrednih in so primerne za uporabo v industrijski, medicinski in znanstveni uporabi Podrobnosti o izdelku: Številka dela: MRF6V2150NB Opis: stranski N-kanalni enosmerni širokopasovni RF močnostni MOSFET, 10-450 MHz, 150 W, 50 V Značilnosti: tipična CW zmogljivost pri 220 MHz: VDD = 50 V, IDQ = 450 mA, Pout = 150 W Pow

podrobnost

Prejšnja:FMUSER originalni novi MRF6VP11KH RF močnostni tranzistor Moč MOSFET tranzistor

Naprej:FMUSER Original Nov BLF861A RF UHF močnostni tranzistor Moč MOSFET tranzistor

Cena (USD)	Kol (PCS)	Shipping (USD)	Skupaj (USD)	Način pošiljanja	plačilo
89	1	0	89	Zračna pošta Dostava
				Zračna pošta Dostava

FMUSER Original Novo MRF6V2150NB SMD RF Power tranzistorska cev Visokofrekvenčna cevna ojačevalna enota Moč MOSFET tranzistor

FMUSER original nov MRF6V2150NB RF močnostni tranzistor Moč MOSFET tranzistor dzasnovan predvsem za širokopasovne širokopasovne izhodne signale in gonilnikes frekvencami do 450 MHz. Naprave niso primerljive in so primerne zauporaba v industrijski, medicinski in znanstveni uporabi

Podrobnosti o izdelku:

Part številka: MRF6V2150NB

Opis: Bočni N-kanalni enosmerni širokopasovni RF močnostni MOSFET, 10-450 MHz, 150 W, 50 V

Lastnosti:

Tipična CW zmogljivost pri 220 MHz: VDD = 50 voltov, IDQ = 450 mA, moč = 150 vatov
Povečanje moči: 25.5 dB
Učinkovitost odtoka: 69%
Zmožnost obdelave 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 210 MHz, 150 W Izhodna moč
Integrirana ESD Protection
Odlična toplotna stabilnost
Olajša tehnike ročnega nadzora ojačanja, ALC in modulacijske tehnike
Plastična embalaža z 225 ° C
Skladno z RoHS

Splošni parametri:

Tip tranzistorja: LDMOS

Tehnologija: Si

Industrija aplikacij: ISM, oddajanje

Uporaba: znanstvena, medicinska

CW / impulz: CW

Frekvenca: 10 do 450 MHz

Moč: 51.76 dBm

Moč (W): 149.97 W

CW moč: 150 W

Povečanje moči (Gp): 23.5 do 26.5 dB

Vhodna povratna izguba: -17 do -3 dB

VSWR: 10.00: 1

Polarnost: N-kanal

Napajalna napetost: 50 V

Prag napetosti: 1 do 3 Vdc

Napajalna napetost - odtočni vir: 110 V

Napetost - vir-vhod (Vgs): - 0.5 do 12 Vdc

Učinkovitost odtoka: 0.683

Odtočni tok: 450 mA

Impedanca Zs: 50 ohmov

Toplotna odpornost: 0.24 ° C / W

Vrsta paketa: prirobnica

Paket: ZADEVA 1484-04, STIL 1 DO - 272 WB - 4 PLASTIKA

Na voljo:

Delovna temperatura: 150 stopinj C

Temperatura skladiščenja: -65 do 150 stopinj

Paket vključuje:
1xMRF6V2150NB RF moč tranzistorja

Cena (USD)	Kol (PCS)	Shipping (USD)	Skupaj (USD)	Način pošiljanja	plačilo
89	1	0	89	Zračna pošta Dostava
				Zračna pošta Dostava

Prejšnja:FMUSER originalni novi MRF6VP11KH RF močnostni tranzistor Moč MOSFET tranzistor

Naprej:FMUSER Original Nov BLF861A RF UHF močnostni tranzistor Moč MOSFET tranzistor

Pustite sporočilo

Seznam sporočilo

Komentarji Nalaganje ...